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三星电子推出3纳米芯片制造工艺设计工具和技术

来源:TechWeb发表时间:2021-12-01 21:27  阅读量:17881   

,据国外媒体报道,上周六,三星电子推出了多款与3纳米芯片制造工艺相关,有助于强化代工生态系统战略的设计工具和技术。

三星电子推出3纳米芯片制造工艺设计工具和技术

根据此前消息,三星电子的3纳米制程工艺将采用GAA技术与基于FinFET技术的5纳米工艺相比,三星首个3纳米GAA工艺节点的性能将提升30%,功耗将降低50%,芯片面积将减少35%

今年10月份,三星电子宣布,它将于2022年上半年开始量产3纳米芯片,这一时间表将在台积电之前根据消息显示,台积电计划在2022年7月量产3纳米芯片如果按照三星电子的计划,它将成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂

上周,外媒报道称,AMD和高通可能将成为三星3纳米芯片制程工艺的首批客户。从趋势来看,2010年9月至2021年9月,除2013年外,村田和三星电机在日本的专利申请量具有可比性。2020年,MLCC在日本村田有26项专利申请,MLCC在三星电机有46项专利申请。2021年1-9月,日本村田MLCC专利申请2件,三星电机MLCC专利申请5件。。

责任编辑:余梓阳

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